Bellek üreticisi Micron, 400’den fazla katmana sahip olan yeni kuşak Micron G11 3D NAND teknolojisini resmi olarak duyurdu. Şirketin mevcut G9 jenerasyonuna kıyasla bilgi yoğunluğunu iki katına çıkaran bu yeni mimari, depolama dünyasında değerli bir sıçramayı temsil ediyor.

Yeni teknoloji, giriş ve çıkış performansında yüzde 50’ye varan bir artış vadediyor. Ayrıyeten data transferi sırasında daha düşük güç tüketimi sunan bu belleklerin seri üretimine 2027 yılının ikinci yarısında başlanması planlanıyor.

Yeni Nesil Depolama Teknolojisi

Micron’un yeni jenerasyon G11 3D NAND mimarisi, şirketin mevcut G9 teknolojisinin yerini alacak. Üretici, G10 jenerasyonunu atlayarak direkt G11’e geçiş yaparken bellek hücrelerinin yoğunluğunu artırmaya odaklanıyor.

Yeni mimaride 400’den fazla bellek katmanı bulunacak ve üretim sürecinde wafer-on-wafer bonding ismi verilen özel bir birleştirme teknolojisi kullanılacak. Bu sistem sayesinde, bellek dizisi ile giriş, çıkış ve denetim devrelerini barındıran katmanlar üretim evresinin akabinde birleştirilebiliyor.

G11’in en dikkat cazibeli yeniliklerinden biri, ünite alana sığdırılabilen bilgi ölçüsünün yaklaşık iki katına çıkmasıdır. Mevcut G9 kuşağı için yaklaşık 21 Gbit/mm² düzeyindeki yoğunluk temel alındığında, yeni mimarinin 42 Gbit/mm² seviyesine ulaşması mümkün görünüyor.

Veri transfer performansında da misal bir artış kelam konusu olup, Micron bu yeni jenerasyonda NAND giriş ve çıkış suratını evvelki kuşağa kıyasla 1,5 katına çıkarıyor. G9 için 3.600 MT/s düzeyi temel alındığında, yeni kuşağın arayüz suratı teorik olarak 5.400 MT/s seviyesine ulaşabilecek.

Performans artışına güç verimliliğindeki iyileştirmeler de eşlik ediyor. Yeni mimaride bilgi transferi sırasında bit başına tüketilen gücün yüzde 25’ten fazla azaltılması hedefleniyor.

Sektörel Rekabet ve Gelecek Planları

Bu değişiklik, bilhassa çok sayıda SSD’nin birebir anda çalıştığı bilgi merkezlerinde ve yüksek bant genişliği gerektiren yapay zekâ sistemlerinde büyük kıymet taşıyor. Micron, G11’de sadece dikey katman sayısını artırmakla yetinmeyerek hücreler arasındaki arayı de küçültüyor.

G11’in yoğunluk artışı, Samsung’un V10 ve Kioxia’nın BiCS10 üzere yeni kuşak NAND teknolojileriyle rekabette kıymetli bir gelişme olacak. Daha yüksek bit yoğunluğu, birebir silikon alanından daha fazla depolama kapasitesi elde edilmesine müsaade verirken üretim maliyetlerinin düşürülmesi için yeni imkanlar sunuyor.

Yeni teknoloji sadece masaüstü ve dizüstü bilgisayarlarda kullanılan SSD’lerle hudutlu kalmayacak. Yüksek kapasiteli kurumsal depolama tahlilleri, data merkezleri ve yapay zekâ iş yükleri için geliştirilen NAND tabanlı eserler de G11 mimarisinden yararlanabilecek.

G11 sonrasında geliştirilecek bellek teknolojilerinde ise üç boyutlu ölçeklendirme daha değerli hale gelecek. Micron, gelecekte X ve Y eksenlerinde de hücre boyutlarını küçülterek bellek hücrelerinin yatay düzlemde kapladığı alanı azaltmayı hedefliyor.

Şirket, yüksek taşıyıcı hareketliliğine sahip yeni yarı iletken gereçler ve ultra yoğun hücre mimarileri üzerinde çalışmaya devam ediyor. G11’in detaylı teknik özellikleri ise 2027 yılında, seri üretimin başlamasına yakın bir tarihte açıklanacak. Sizce bu denli yüksek yoğunluklu depolama teknolojileri, şahsî bilgisayarlarımızdaki kullanım alışkanlıklarımızı nasıl değiştirecek?

Kaynak: Shiftdelete